NudgeInspect cung cấp dịch vụ Total Reflection X-ray Fluorescence (TXRF), một kỹ thuật phân tích nguyên tố nhạy với bề mặt, được sử dụng để xác định nồng độ các kim loại vết (trace metals) trên bề mặt wafer.

• Độ nhạy siêu vi lượng – Có thể phát hiện xuống mức 1E10 atoms/cm².

• Phân tích bề mặt wafer không phá hủy – Giữ nguyên hiện trạng mẫu trong quá trình kiểm tra.

• Chuẩn bị mẫu tối thiểu – Tiết kiệm thời gian và công sức.

• Hiệu suất cao – Hỗ trợ xử lý wafer tự động, tăng throughput.

• Độ lặp lại và tái lập tuyệt vời – Kết quả ổn định và chính xác.

• Phạm vi nguyên tố rộng – Từ Na đến U, đáp ứng nhu cầu kiểm tra đa dạng.

• Bản đồ ô nhiễm & đo đạc theo vị trí – Cho phép xác định và định lượng kim loại vết theo từng vùng cụ thể trên wafer.

• hỉ nhạy bề mặt – Phù hợp cho phân tích bề mặt wafer, không áp dụng cho vật liệu khối (bulk analysis).

• Yêu cầu bề mặt phẳng và phản xạ tốt – Để đạt độ chính xác cao, wafer cần tương đối phẳng và bóng.

• Nhiễu từ màng dày hoặc bề mặt nhám – Các lớp màng dày hoặc bề mặt không đều có thể ảnh hưởng đến kết quả.

• Giới hạn độ phân giải ngang – Thấp hơn so với các kỹ thuật hiển vi (microscopy techniques).

Rigaku TXRF-V310

• Elemental range: Na (Z=11) to U (Z=92)

• Detection limit: ~1E10 atoms/cm² (element dependent)

• Wafer size: 200 mm and 300 mm

• Throughput: Up to 80 wafers/hour

• Atmosphere: Vacuum or helium purge options

• Measurement modes: Single-point, multi-point, and mapping

• Software: Automated quantification and contamination trend analysis

• High-power W-anode X-ray source (9 kW rotating anode)

• 3 excitation energies optimized for light, transition, and heavy elements

• XYθ sample stage

• Dual FOUP load ports

Total Reflection X-ray Fluorescence (TXRF) hoạt động bằng cách chiếu chùm tia X hội tụ (collimated X-ray beam) với góc nghiêng nhỏ (grazing angle) lên bề mặt mẫu, thường là wafer silicon.

Ở góc tới này, xảy ra phản xạ toàn phần (total external reflection), giới hạn tương tác với lớp bề mặt gần wafer, giảm nhiễu nền và tăng độ nhạy với các nguyên tố vết trên bề mặt. Khi các nguyên tử trên bề mặt wafer bị kích thích bởi chùm tia X, chúng phát ra tia X huỳnh quang đặc trưng, sau đó được phát hiện. Nồng độ các nguyên tố được định lượng bằng cách so sánh với các chuẩn tham chiếu.